Завадостійкість ІМС ТТЛ та ТТЛШ, шляхи їх покращення. Особливості примінення Імс, ТТЛ, ТТЛШ 1.Навантажувальна здатність різних серій ТТЛ, ТТЛШ – різна U0,U1 – співпадають майже для всіх серій. Чим більша навантажувальна здатність елем., тим більші його логічні можливості. Перебільшення навантажувальної здатності призводить до погіршення його параметрів (збільшення швидкодії зміеншує споживчі потужності) 2.Тому при роботі мікросхем різних серій необхідно правильно оцінювати нававнтажувальність по струму I0,I1 окремо. Перебільшення вихідного струму ІС призводить до зниження завадостійкості як Uз+ так і Uз-. I0 I1 К531ЛН1 -2 0,05 К155ЛА4 -1,6 0,112 К5555ЛА4 -0,36 0,08 3,96 0,25 мА 3.Необхідно пам’ятати, що елементів більшії функціональної складності вхідні струми можуть бути більші. 4.Для збільшення навантажувальної здатності – допускається об’єднання вхідного і вихідного двох елементів. 5.Вільні входи ТТЛ, ТТЛШ потрібно прив’язувати до відповідних логічних рівнів, а не залишати ні до чого непідключеними.Кожен не підключений вхід вносить затримку при переключенні елементів на 1-3 нс. За рахунок вхідн.ємност.цих входів (3-7 пкФ). Тому для логічних елементів & баж ???? вх.або.опір 1кОм до напруг живлення, або створювати подільн.напруги, до якого і підключаються вільні вход.,або якщо є вільн.ел.її встан.по вих.на «1» і ці вілн.вх.використ.для підкл.віл.вход.=> зменш.Рс мікрос. Відмінність ел. ТТЛ і ТТЛШ t3 – час затримки tф – фронту tі – тривалість імпульсу tзр – час зрізу tр – розмок. Насич.стан транз. = стан подвійної інжекції (відкриті і емітерне і транзисторне перехрестя). Коли транзистор насичений в його базі скопичуються не основні носії. Всі ІС ТТЛ працюють по таких схемах => обмеження швидкості на низькому рівні, тому включаються схем.діоди Шотки для усунення стану подвійної інжекції, немає процесу розмокт., збільшується швидкодія у 5 раз. tф визнач.розкидом швидкостей інжект.в базу носіїв заряду. В результаті не всі носії досягають колек.одночасно. t3 + tф – активний режим роботи транзистора (працює як підсилювач) Вкл.між Б і К метал-напівпров.контакту (д Ш) дозволяє включити режим подвійної інжекції, що зменшує кількість неосновних носіїв в зоні Б і скорочує час розмогнув. Щіл.струму, що протікає через Б, на три нор.біл., ніж струм К – особл.діод.Шотки – велике швидк.перекл. В діодах Шотки накопичення неосновних носіїв в зоні перехр.немає, бо перенос.стр.в них відбув за рахунок емісії основних носіїв із напів-пров. у метал.Завд.цьому час виключ.д.Ш. при зміні полярності на його електродах може бути довед.до 100пкс і не залежить від температури навколо середовища. В той час як для р-n перех.цей парам.склад. 1-10нс і залежн.від температ. Сумаран потужність яка дозв.розсіюв. 14-,16-виводні ІС = 0,5Вт., що суттєво обмежує функціональну складність ІС, тому звичайні ТТЛ і ТТЛШ малопридатні до побудови вел.ІС.